Colección Comparación
GPA030A135MN-FDR
Número de pieza：
GPA030A135MN-FDR
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
SemiQ
Descripción：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Embalaje：
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    450 ns
  • Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 30A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-3PN
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Td (encendido/apagado) a 25°C
    30ns/145ns
  • Energía de conmutación
    4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
  • Condición de prueba
    600V, 30A, 5Ohm, 15V
  • Cargo de puerta
    300 nC
  • Corriente - Colector (Ic) (Max)
    60 A
  • Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
    1350 V
  • Corriente - Colector Pulsado (Icm)
    90 A
  • Potencia - Máx.
    329 W
  • 13670023222

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