Colección Comparación
GP2D003A065A
Número de pieza：
GP2D003A065A
Clasificación de productos：
Productos semiconductores discretos
Fabricante：
SemiQ
Descripción：
DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2
Embalaje：
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Paquete / Estuche
    TO-220-2
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0 ns
  • Tecnología
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 158pF @ 1V, 1MHz
  • 3A
  • Paquete de dispositivo del proveedor
    TO-220-2
  • Temperatura de funcionamiento: unión
    -55°C ~ 175°C
  • Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
    650 V
  • Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
    1.65 V @ 3 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr
    30 µA @ 650 V
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

Presentación

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