WNSC5D10650X6Q
Part Number:
WNSC5D10650X6Q
Product Classification:
الثنائيات المفردة
Manufacturer:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Description:
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging:
-
ROHS Status:
No
Currency:
USD
Specification
- نوع التركيب Through Hole
- تكنولوجيا SiC (Silicon Carbide) Schottky
- الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى) 650 V
- سرعة No Recovery Time > 500mA (Io)
- عكس وقت الاسترداد (trr) 0 ns
- الحزمة / القضية TO-220-2
- درجة حرارة التشغيل - الوصلة -55°C ~ 175°C
- حزمة جهاز المورد TO-220AC
- Current - Average Rectified (Io) 10A
- الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا 1.7 V @ 10 A
- التيار - التسرب العكسي عند Vr 50 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 323pF @ 1V, 1MHz