GP3D010A065A
Part Number:
GP3D010A065A
Product Classification:
الثنائيات المفردة
Manufacturer:
SemiQ
Description:
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging:
Tube
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- نوع التركيب Through Hole
- تكنولوجيا SiC (Silicon Carbide) Schottky
- الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى) 650 V
- سرعة No Recovery Time > 500mA (Io)
- عكس وقت الاسترداد (trr) 0 ns
- الحزمة / القضية TO-220-2
- درجة حرارة التشغيل - الوصلة -55°C ~ 175°C
- Current - Average Rectified (Io) 10A
- حزمة جهاز المورد TO-220-2
- الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا 1.6 V @ 10 A
- التيار - التسرب العكسي عند Vr 25 µA @ 650 V
- Capacitance @ Vr, F 419pF @ 1V, 1MHz