جمع مقارنة
GT50JR22(STA1,E,S)
رقم الجزء：
GT50JR22(STA1,E,S)
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
وصف：
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1600
الحد الأدنى : 0
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
4.7
4.7
25
3.72
93
100
3.19
319
500
2.84
1420
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
مواصفة
  • الحزمة / القضية
    TO-3P-3, SC-65-3
  • نوع التركيب
    Through Hole
  • درجة حرارة التشغيل
    175°C (TJ)
  • نوع الإدخال
    Standard
  • Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • حزمة جهاز المورد
    TO-3P(N)
  • الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
    50 A
  • الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
    600 V
  • التيار - النبض المجمع (Icm)
    100 A
  • أقصى القوة
    230 W
  • 13670023222

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ